全球知名半导体制造商ROHM的SiC功率元器件被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司的电动汽车车载充电器。SiC功率元器件是一种能够显著降低损耗的半导体，在电动汽车以及基础设施、环境/能源、工业设备领域的应用日益广泛。此次ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC产品采用，与以往的OBC相比，新OBC所在单元的效率提高了1%(效率高达95.7%，功率损耗比以往降低约20%)。这一先进解决方案获得了UAES颁发的2019年度最佳技术进步奖。
未来，ROHM将作为SiC功率元器件的领军企业，不断壮大产品阵容，并结合充分发挥元器件性能的控制IC等外围元器件和模块化技术优势，继续提供有助于下一代汽车技术创新的电源解决方案。
SiC主要用于大功率高频功率器件。以SiC为材料的二极管、MOSFET、IGBT等器件未来有望在汽车电子领域取代Si。目前SiC半导体仍处于发展初期，晶圆生长过程中易出现材料的基面位错，以致SiC器件可靠性下降。另一方面，晶圆生长难度导致SiC材料价格昂贵，预计想要大规模得到应用仍需一段时期的技术改进。
SiC关键技术由海外公司垄断，从产业链来看，上游部分，CREE公司独占SiC晶元制造市场份额60%以上；中游部分，英飞凌、CREE、意法半导体和安森美等功率半导体领域国际排名前十的企业合计已在SiC功率器件市场占据50%以上份额。相比于美国CREE公司于2003年推出SiC产品，国内公司起步晚，技术相对落后。直到2015年初，泰科天润才首次实现了碳化硅肖特基二极管的量产，目前国内SiC产业规模于国外相比尚有较大差距。
当前制约SiC器件发展的主要因素在于其高昂的价格，而成本的主要决定因素是衬底和晶圆尺寸。未来随着技术的发展，衬底的成本将会慢慢下降，晶圆的尺寸也会越做越大，价格也会慢慢下降，因此未来SiC市场空间的增速会越来越快。根据赛迪智库预测，2019年SiC的市场为4.9亿美元，增速为23.5%，到2023年，市场空间为13.1亿美元，增速将接近40%。
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